Nomor Produk Pabrikan:
BSP149 E6327
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
BSP149 E6327-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Deskripsi Detail:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventaris:
12799490
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
BSP149 E6327 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
-
Seri
SIPMOS®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
660mA (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
0V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 400µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
430 pF @ 25 V
Fitur FET
Depletion Mode
Disipasi Daya (Maks)
1.8W (Ta)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-SOT223-4
Paket / Kasus
TO-261-4, TO-261AA
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
1,000
Nama lain
BSP149E6327T
SP000011104
BSP149 E6327-DG
BSP149E6327
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
BSP149H6906XTSA1
PEMBUAT
Infineon Technologies
JUMLAH YANG TERSEDIA
55
DiGi NOMOR BAGIAN
BSP149H6906XTSA1-DG
HARGA SATUAN
1.05
JENIS PENGGANTI
Parametric Equivalent
NOMOR BAGIAN
BSP149H6327XTSA1
PEMBUAT
Infineon Technologies
JUMLAH YANG TERSEDIA
25184
DiGi NOMOR BAGIAN
BSP149H6327XTSA1-DG
HARGA SATUAN
0.48
JENIS PENGGANTI
Parametric Equivalent
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
BSC059N03S G
MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
BSP318S E6327
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
